
Baixa Tensão, Alto Desempenho
Com apenas 1,35 V, o kit de memória SO-DIMM de baixa tensão da G.SKILL consome menos energia e gera menos calor. É a solução de memória perfeita para prolongar a vida útil da bateria do seu portátil e aumentar a estabilidade devido à temperatura mais baixa.
Aumente o desempenho dos seus portáteis
Quer acelerar o seu portátil? A memória G.SKILL SO-DIMM está aqui para ajudar! Sentirá o aumento de velocidade instantaneamente, independentemente de estar a jogar, programar, editar multimédia ou apenas navegar na internet! É uma das formas mais inteligentes e económicas de melhorar a sua produtividade e experiência informática no seu portátil!
A melhor qualidade da categoria
Cada kit de memória G.SKILL SO-DIMM é 100% validado pelos rigorosos testes de burn-in da G.SKILL. Isto garante que cada kit oferece estabilidade, desempenho e qualidade perfeitos para o seu portátil.
Funcionalidades
Latência CAS: 11
Memória interna: 8 GB
Disposição da memória (módulos x tamanho): 2 x 4 GB
Tipo de memória interna: DDR3
Velocidade de relógio da memória: 1600 MHz
Componente para: Portátil
Fator de forma de memória: SO-DIMM de 204 pinos
Canais de memória: canal duplo
Tensão da memória: 1,35 V
Peso e dimensões
Largura: 67,6 mm
Altura: 30 mm
Dados logísticos
Código do Sistema Harmonizado (SH): 84733020
G.Skill 8 GB DDR3-1600. Componente para: Portátil, Memória interna: 8 GB, Disposição da memória (módulos x tamanho): 2 x 4 GB, Tipo de memória interna: DDR3, Velocidade do relógio da memória: 1600 MHz, Formato da memória: SO-DIMM de 204 pinos, Latência CAS: 11
G. Habilidade
CÓDIGO MBR - F3-1600C11D-8GSL
EAN - 4711148591737